随着电动汽车、数据中心和工业系统对能效与功率密度的要求日益严苛，功率半导体技术正以前所未有的速度迭代创新。在近日落幕的PCIM Asia Shanghai展上，罗姆（ROHM）以车载与工业应用为核心，集中展示了其在前沿功率半导体领域的最新成果。
从采用创新封装、显著提升性能的下一代SiC功率模块，到致力于节能与小型的EcoGaN™完整方案，再到覆盖广泛的硅基器件组合，罗姆正通过一系列高密度、高效率的解决方案，为未来的电力电子应用描绘出清晰的蓝图。展会现场，罗姆的工程师给《国际电子商情》介绍了此次的重磅展品及解决方案。
图1：罗姆2025 PCIM Shanghai展台
今年，罗姆发布了两款SiC（碳化硅）模块。据罗姆的工程师介绍，这些模块采用新的封装，内部搭载了罗姆第四代SiC MOS——二合一SiC模块DOT-247和4in1及6in1结构SiC塑封型模块HSDIP20。其中，DOT-247适用于光伏逆变器、UPS和半导体继电器等工业设备的应用场景，HSDIP20适用于电动汽车车载充电器的PFC（功率因数校正）和LLC谐振转换器等应用。
图2：罗姆SiC塑封型模块HSDIP20（上左）和二合一SiC模块DOT-247（上右）
DOT-247由两个常规TO-247封装在一起，采用罗姆自有的内部结构，实现了更低导通电阻。工程师解释说，常规的TO-247方案在实际使用时采用桥式电路，一般会有两个器械来完成这个桥式，在整个过程中会有一些缺点，其回路里的杂散参数比较大。杂散参数大，意味着设备或系统在工作时会产生更多不必要的电磁干扰信号，可能对自身或其他电子设备造成负面影响。
将两个TO-247封装连接的独特结构，让其PCB板上的电流路径小了，杂散参数可从27纳赫降低到13纳赫，对于SiC开发速度和损耗方面都有提升。同时，这种优化封装结构的热阻也比较小，在相同功率损耗情况下，DOT-247封装的热阻比TO-247封装降低约15%，电感降低50%。
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