输入电容减小、输入电阻减小，导致低频失真增大首先，电容有如上特性，即偏压越大，电容值损失越大，差异也越大，如上图所示。电容阻抗 Z，输入电阻 Rin，dZ 为容值随偏压变化的量，则(Z+dZ+Rin)为总的输入阻抗。差分输入时，在低频时，Z 和 dZ 增大而有效，dZ 差异增大，进而导致输入正负端不平衡，引起失真增大。单端输入时，输入端始终比接地端多了阻抗 dZ，在低频时，dZ 增大而有效，导致低频失真很大。增大输入电容、增大 Rin，相当于减小了 dZ 与总输入阻抗的比例，进而使得相同dZ 的差异下不平衡差异缩小，从而失真减小。规格书中同样有这样的说明（其他耳放一般也有类似说明），如下截图，使用低电压等级、高电压系数的电容会导致低频失真增加。公开嘉兴禾润电子科技有限公司 -2单端输入无电容，导致 SD 切换时 pop 声非常大的原因SD 前后，输入 IN-端从 0V 至建立 1.5V 电平，IN+端始终为 0 电位，因此会产生较大 pop 声差分输入无电容，导致 SD 切换时 pop 声增大的原因SD 前后，输入 IN-端和 IN+端均从 0V 至建立 0.75V 电平（若 Rin = Rf），因此此时pop 声比上述单端时小很多，但由于左右声道 Rin Cin 不可避免的不同，IN-端和 IN+端0V 至建立 0.75V 电平的过程不尽相同，因此 pop 声增大。单端或差分输入电容不同，基本不会导致 SD 切换时 pop 不同经实测，当输入电容在 1uF~10uF 的区间变化时，开关 SD 的 pop 声没有变化。有时客户实际测试可能存在 pop 声的较大变化，考虑为改变 Rin, Cin 后， 前级 1.5V 共模电平给 Rin, Cin 充放电时间不同、导致 SD 开启后仍在给 Rin,Cin 充放电引起的 pop 声增大。若是此原因，进一步延迟 SD 拉高拉低，或能减小 pop 声。
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